Las próximas memorias volarán un 30% más rápido: Samsung presenta su quinta generación de V-NAND

Las próximas memorias volarán un 30% más rápido: Samsung presenta su quinta generación de V-NAND

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Samsung acaba de anunciar el arranque de la producción en masa de las memorias para móvil que anunció el pasado junio. Se trata de las nuevas V-NAND de quinta generación y, entre otras consecuencias, van a aumentar la velocidad de los SSD de 256GB.

El nuevo protocolo de construcción de las V-NAND llevará al nacimiento de las memorias más veloces hasta la fecha de toda la indústria, confirmando Samsung como el líder indiscutible del sector de los semi-conductores, en el que reina desde hace años.

V NAND

Si a finales del año pasado nos maravillávamos con el anuncio de la fabricación de las primeras memorias con 512 GB de capacidad, construidas con 64 capas, Samsung nos desvela ahora un nuevo protocolo para sus discos de 256 GB. La nueva construcción establecerá memorias hechas con hasta 96 capas.

Las nuevas memorias de Samsung también aumentan la velocidad de transmisión entre memoria y disco de almacenamiento gracias a la introducción, inédita en la indústria, de la interfaz Toogle DDR 4.0.

Incluir la interfaz Toogle DDR 4.0, que Samsung es la primera en aplicar, se ha traducido en un aumento de la velocidad de un 40% respecto a las memorias predecesoras que contaban con construcciones de 64 capas. La nueva interfaz supone tasas máximas de transmisión de hasta 1,4 Gbps.

Samsung Electronics Fifth Generation V Nand4

La quinta generación de la tecnología V-NAND también aumenta sus tasas de escritura, un 30% más, mientras que el tiempo de respuesra a las señales de lectura se ha reducido 50 microsegundos respecto a su generación anterior.

No se resiente sin embargo la eficiencia energética de las nuevas memorias. Aun y el aumento en diferentes niveles, Samsung asegura que la energía consumida es comparable a sus anteriores memorias, ya que el voltaje operativo se ha visto reducido de los 1.8 voltios a 1.2 voltios.

Una potente muestra de ingeniería de diseño

La quinta generación V-NAND, Samsung apila más de noventa capas de celdas CTF (Charge Trap Flash), las celdas usadas para almacenar la información no volátil en las memorias flash y que incluyen tres bits cada una. Según Samsung, nunca nadie había acumulado tantas capas una encima de la otra.

Samsung Electronics Fifth Generation V Nand2

La distribución de las capas se distribuye en una estructura piramidal a la que atraviesan de forma vertical agujeros microscópicos que actúan como canales. Los canales, con un ancho de tan solo algunos centenares de nanómetros, incluyen más de 85 mil millones de celdas CTF.

La fabricación de las memorias también se ha visto mejorada gracias a la disposición atómica de las capas -reducidas un 20% en altura- que ha conseguido aumentar la productividad de su construcción hasta un 30%.

El destino de las nuevas V-NAND

Samsung ha anunciado que aumentará rápidamente la velocidad de producción de las nuevas memorias para destinarlas a varios mercados, como las supercomputadoras, los servidores empresariales y, por supuesto, las gamas premium de los teléfonos del futuro.

El vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología Flash de Samsung Electronics, Kye Hyun Kyung, ha aprovechado el anuncio para adelantar que empezarán a "presentar ofertas de 1 terabit (TB) y de celdas de cuatro niveles (QLC)" a su línea V-NAND.

Vía | GSMArena
En Xataka móvil | Nadie vende más memorias internas para móviles que Samsung, con Toshiba cada vez más lejos

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